La soluzione più avanzata, almeno al momento, è quella delle memorie MRAM (acronimo di Magnetoresistive Random Access Memory, in italiano memoria agnetoresistiva ad accesso casuale) le quali sfruttano gli effetti dello spin del momento magnetico per modificare lo stato delle informazioni all'interno delle celle di archiviazione dei dati. Una soluzione che permette di migliorare la velocità memoria ed evitare che i moduli RAM si surriscaldino troppo: non passando corrente all'interno dei circuiti, le MRAM sono infatti praticamente "immuni" agli effetti della legge di Joule.
Ricercatori del Moscow Institute of Physics and Technology (MIPT), in collaborazione con gli scienziati della University of Regensburg e gli olandesi della Radboud University Nijmegen, hanno compiuto un ulteriore passo in avanti, sviluppando una nuova tecnologia in grado di aumentare la velocità di lavoro della memoria di 1.000 volte. Merito della cosiddetta radiazione Terahertz (detta anche onda T), in grado di cambiare lo stato delle celle di archiviazione applicando un campo magnetico esterno e velocizzando così le operazioni di cancellazione delle informazioni e scrittura di nuovi dati.
